Adiós al recalentamiento de los dispositivos: desarrollan una capa de diamante que reduce 23 °C de temperatura

Un grupo de investigadores de la Universidad de Rice en Estados Unidos logró un avance que podría transformar la gestión térmica en la industria electrónica. Se trata de una innovadora técnica que permite incorporar una capa de diamante directamente sobre microchips para reducir hasta 23 °C la temperatura de operación de los dispositivos.

Esta solución abre nuevas posibilidades para mejorar la eficiencia, el rendimiento y la durabilidad de tecnologías como procesadores de inteligencia artificial, hardware 5G y centros de datos.

El diamante como aliado: cómo funciona el nuevo sistema de enfriamiento

El diamante es reconocido como el mejor material para conducir el calor, pero su dureza extrema y la dificultad de manipulación han limitado su uso en la electrónica convencional. Tradicionalmente, los métodos “top-down” —que implican tallar y adaptar bloques de diamante— resultan costosos y poco eficientes para aplicaciones prácticas.

La innovación desarrollada en Rice se basa en un enfoque “bottom-up”, utilizando deposición química de vapor asistida por plasma de microondas. El proceso comienza con la creación de un “stencil” o plantilla sobre la superficie del chip, sobre la que se esparcen semillas de nanodiamante. Al colocar esta estructura en un reactor de alta energía, los átomos de carbono presentes en gases ricos en carbono se descomponen y se adhieren a las semillas, formando una capa sólida de diamante exactamente donde se necesita.

Este método utiliza técnicas de fotolitografía —la misma tecnología empleada para crear patrones diminutos en microchips—, permitiendo que la capa de diamante se integre de manera precisa y efectiva, actuando como una vía rápida para disipar el calor generado durante el funcionamiento de los dispositivos electrónicos.

Aplicaciones industriales y escalabilidad del método

Uno de los principales logros del equipo de Rice es la capacidad de escalar el proceso para aplicaciones industriales. Los investigadores demostraron que pueden aplicar esta técnica tanto en diseños de alta resolución, utilizando fotolitografía, como en aplicaciones de mayor tamaño, empleando películas cortadas con láser. Esto les permitió trabajar exitosamente con obleas de hasta dos pulgadas, una dimensión relevante para la producción en masa de componentes electrónicos.

La versatilidad del método también radica en su compatibilidad con diferentes sustratos, incluyendo silicio y nitruro de galio, materiales habituales en la fabricación de semiconductores. Integrar el enfriamiento mediante diamante en estos sistemas representa una base sólida para la próxima generación de dispositivos electrónicos de alto rendimiento.

Según el profesor Pulickel Ajayan, líder del estudio, “hemos encontrado una forma escalable y eficaz de incorporar el enfriamiento por diamante en la electrónica. Esto es crucial porque el calor limita la vida útil de las baterías y la velocidad de los ordenadores. Al disipar el calor de manera más eficiente, podemos desarrollar tecnologías más rápidas, confiables y duraderas”.

Hacia la integración total: el futuro de los dispositivos sin recalentamiento

El próximo reto para los investigadores es perfeccionar la unión entre la capa de diamante y los componentes electrónicos subyacentes. Conseguir una integración perfecta permitirá fabricar transistores y circuitos aún más rápidos y potentes, consolidando la posición del diamante como material clave en la gestión térmica avanzada.

La reducción de 23 °C en la temperatura de operación, confirmada por el equipo de Rice, no solo implica una mayor velocidad y menor consumo energético, sino también una vida útil más larga para los dispositivos y menos riesgos de fallos asociados al sobrecalentamiento.

Este avance señala el camino hacia un futuro donde los problemas de recalentamiento en teléfonos, computadoras y centros de datos puedan ser cosa del pasado, abriendo la puerta a una electrónica más eficiente, confiable y sostenible.