San Sebastián, 6 may (EFE).- Una investigación desarrollada por el Centro de Física de Materiales de San Sebastián en colaboración con la Universidad Tecnológica de Pekín (China) ha descubierto un semiconductor para dispositivos de almacenamiento de información de nueva generación resistente a apagones.
Según informa en una nota el Centro de Física de Materiales (promovido por el Consejo Superior de Investigaciones Científicas y la Universidad del País Vasco), este avance podría conducir a aplicaciones más baratas y eficaces en dispositivos de almacenamiento de información.
El trabajo desarrollado por el equipo de investigación se ha basado en las propiedades magnéticas y electrónicas de la ferrita de bismuto modificando su estructura atómica y allanando así el camino para dispositivos de memoria de bajo consumo y alta capacidad.
Las investigaciones desarrolladas han permitido constatar que en las memorias de acceso aleatorio (RAM por sus siglas en inglés) basadas en este tipo de materiales la información permanece almacenada de forma segura aunque se produzca una interrupción del suministro eléctrico.
Por el contrario, en la memoria dinámica de acceso aleatorio, muy utilizada en ordenadores, la información se pierde por completo si se corta la electricidad, recalca la nota. EFE
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