
Científicos chinos han producido un campo magnétivo equivalente a más de 800.000 veces el de la Tierra, rompiendo un récord mundial establecido por Estados Unidos en este campo en 2017, informa Xinhua. El experimento fue desarrollado con un imán resistivo que produjo un campo magnético estable de 42,02 teslas, ubicado en el Laboratorio de Altos Campos Magnéticos de los Institutos de Ciencias Físicas de Hefei, dependientes de la Academia de Ciencias de China (CHMFL). Según los autores, el alto campo magnético estable es una condición experimental extrema, que sirve como una poderosa herramienta para la investigación científica. En el entorno experimental de un alto campo magnético, las propiedades de la materia pueden ser manipuladas, lo que favorece que los científicos descubran nuevos fenómenos y exploren nuevas leyes de la materia. Los altos campos magnéticos también pueden dar lugar a nuevas tecnologías de aplicación, como la metalurgia electromagnética y la síntesis de reacciones químicas, y especialmente la utilización generalizada de la tecnología de resonancia magnética nuclear en la ciencia médica. Debido a su valor significativo en diversos campos como la física, la química, la ciencia de los materiales y las ciencias de la vida, el campo magnético alto y estable se conoce como la "cuna" de los Premios Nobel. El nuevo logro es el resultado de casi cuatro años de esfuerzos por parte del equipo de investigación, que incluyeron la innovación de estructuras magnéticas y la optimización de los procesos de fabricación, dijo Kuang Guangli, director académico del CHMFL. Kuang dijo que este avance podría satisfacer las necesidades de los usuarios de un campo magnético alto rápido, regulado y estable, proporcionar a los científicos condiciones experimentales potentes y sentar una base tecnológica clave para la construcción de imanes estables de campo más alto en China. Cinco importantes laboratorios de campos magnéticos altos y estables se encuentran en Estados Unidos, Francia, los Países Bajos, Japón y China. Como uno de los principales elementos de la infraestructura científica y tecnológica de China, la instalación de alto campo magnético estable en Hefei, entró en funcionamiento en 2017. Los científicos chinos produjeron el campo magnético estable más alto del mundo de 45,22 teslas utilizando un imán híbrido en la instalación en 2022. Los imanes de alto campo magnético estable incluyen imanes resistivos, imanes superconductores e imanes híbridos. Según los expertos, los imanes resistivos tienen la ventaja de un control flexible y rápido, lo que proporciona condiciones experimentales confiables y eficientes para la investigación científica. Kuang comparó los imanes resistivos y los imanes superconductores con los jugadores individuales de tenis de mesa y los imanes híbridos con los jugadores de dobles mixtos. "Después de ganar el campeonato de dobles mixtos en 2022, nuestro equipo también ha ganado un campeonato de individuales", dijo Kuang. La instalación de alto campo magnético estable de China ha proporcionado condiciones experimentales para más de 197 instituciones nacionales e internacionales, incluidas la Universidad de Tsinghua, la Universidad de Pekín, la Universidad de Ciencia y Tecnología de China y la Universidad de Harvard. Estos usuarios han llevado a cabo investigaciones de vanguardia en los campos de la física, la química, los materiales, la ingeniería, la vida y la salud. Con la ayuda de la instalación, los científicos han descubierto los mecanismos moleculares y neuronales de la mejora del aprendizaje y la memoria mediante la exposición a la luz solar, así como el desarrollo de fármacos candidatos para la terapia dirigida contra el cáncer, la enfermedad del hígado graso no alcohólico y la diabetes. Kuang dijo que el equipo planea desarrollar nuevos imanes estables para apoyar el desarrollo de nuevos materiales electrónicos, explorar los mecanismos y aplicaciones de la superconductividad de alta temperatura, estudiar la patología de las principales enfermedades y los fármacos relacionados, y producir materiales semiconductores de alto rendimiento.
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