SK Hynix inicia en Indiana la construcción de planta de memoria para IA de 4.000 millones

Nueva York, 27 ago (EFE).- El fabricante surcoreano de chips SK Hynix informó este jueves de que ha iniciado la construcción de una planta de más de 4.000 millones de dólares en Indiana para el empaquetado avanzado de memoria de alto ancho de banda (HBM), un componente clave para los sistemas de inteligencia artificial (IA), en su primera instalación de este tipo en Estados Unidos.

La planta, ubicada en West Lafayette, comenzará la producción en el segundo semestre de 2029, anunció la compañía en un comunicado tras una ceremonia por el inicio de las obras.

SK Hynix fabricará las obleas de silicio en Corea del Sur y las trasladará a Indiana para su empaquetado y pruebas antes de suministrar los productos a los clientes estadounidenses.

La compañía busca con esta inversión reforzar su presencia en Estados Unidos y responder al fuerte crecimiento de la demanda de chips vinculada al desarrollo de la IA.

El consejero delegado de SK Hynix, Kwak Noh-jung, ha advertido de que la escasez mundial de chips de memoria podría prolongarse hasta 2030 debido al crecimiento de la demanda.

La compañía comenzó a cotizar en el índice estadounidense Nasdaq el pasado 10 de julio y recaudó unos 26.500 millones de dólares en la operación, una de las mayores salidas a bolsa de una empresa extranjera en EE. UU.

Desde su debut en el Nasdaq, las acciones de SK Hynix acumulan una subida de alrededor del 8 %, tras superar los 195 dólares y caer posteriormente hasta la zona de los 125 dólares. Este jueves cerraron en los 161 dólares. EFE